Primeiros SSDs da Samsung com 3D V-NAND terão 480 e 960 GB de capacidade
A Samsung é uma das principais fabricantes de chips de memória Flash do mercado e demonstra não ter pretensão alguma de deixar de ser: nesta semana, a companhia anunciou a produção das primeiras unidades SSD baseadas na sua tecnologia 3D Vertical NAND (V-NAND), que promete não só aumentar a capacidade de armazenamento dos chips como também o seu desempenho.
Neste tipo de memória, usa-se uma tecnologia proprietária de nome “3D Charge Trap Flash” para posicionar camadas de células de armazenamento verticalmente no chip e não de maneira horizontal (2D), como é feito tradicionalmente. Nesta primeira implementação do V-NAND, interliga-se 24 camadas por meio deste esquema, mas os engenheiros da empresa já falam em 32.
A Samsung padronizou os chips V-NAND com densidade de 128 gigabits, ou seja, cada um deles pode armazenar 16 gigabytes de dados. Se parece incrível, saiba que, de acordo com a empresa, em um futuro não muito distante será possível elevar o nível de densidade para 1 terabit por chip (128 GB).
Seguindo o formato padrão de 2,5 polegadas, os primeiros SSDs a contarem com chips V-NAND chegarão ao mercado em breve com capacidades de 480 e 960 GB. A Samsung ainda não revelou preços, mas por se tratar de uma tecnologia tão sofisticada (a companhia afirma ter mais de 300 patentes relacionadas apenas a memórias 3D), é claro que não dá para esperar nada abaixo de “muito caro”.
Não foram fornecidos números de comparação, mas a companhia sul-coreana afirma que estas unidades têm desempenho pelo menos 20% melhor que os SSDs atuais, redução do consumo de energia estimado em 40% e nível de confiabilidade aumentado em até dez vezes.
Apesar de desconhecermos os preços, podemos adotar o discurso “eu nem queria mesmo” desde já: é que estas unidades estão sendo produzidas exclusivamente para atender ao mercado de servidores de alto desempenho, sem previsão de disponibilização para o segmento doméstico.
Com informações: TMCNet
