Samsung fabrica chip de 512 GB com dobro da velocidade do Galaxy S10
Samsung criou uma nova geração depois de um mês de vida do eUFS 2.1 que equipa o Galaxy S10
A Samsung anunciou nesta quarta-feira (27) que iniciou a produção em massa de chips de memória baseados no eUFS 3.0, que conseguem ser duas vezes mais velozes do que a geração passada, que foi lançada no mês passado. O novo padrão de memória apresentado terá até 512 GB de espaço e no futuro pode acomodar 1 TB de dados.
O eUFS 3.0, ou embedded Universal Flash Storage, é um padrão de memória flash que promete ser quatro vezes mais rápido do que opções de SSD plugados em portas SATA. A versão 2.0 foi lançada em janeiro de 2015 e conseguiu ser 1,4 vezes mais veloz do que a memória eMMC. A mais recente, 2.1, foi lançada em janeiro.
Agora a velocidade de acesso sequencial aos dados na versão 3.0 do eUFS pode chegar em 2,1 GB por segundo. A velocidade absurda é registrada na leitura dos arquivos, enquanto que a escrita pode bater em 410 MB por segundo, a mesma de um SSD SATA.
Com tanta velocidade, a Samsung afirma que transferir um filme em Full HD de 3,7 GB de um PC com um SSD NVMe para algum dispositivo com eUFS 3.0 levará no máximo três segundos. Em operações aleatórias, o ganho de desempenho está na casa dos 36%.
A fabricação em larga escala começa já neste semestre para chips com 512 GB e 128 GB, com opções de 1 TB e 256 GB a partir do próximo semestre de 2019. Tempo de sobra para o lançamento de um Galaxy Note 10.
Com informações: Samsung.
