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Novo chip 3D de memória flash da Samsung poderá armazenar até 384 GB

Samsung revela a produção em massa de chips 3D de memória flash: um chip V-NAND pode armazenar 384 GB.

7 anos atrás

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Infelizmente memória sempre foi um artigo caro. Com um SSD de 240 GB custando os olhos da cara, migrar para um disco de estado sólido é muito vantajoso tecnicamente, mas dói - e muito - no bolso. Smartphones sofrem com isso, além da limitação física de imprimir memórias flash apenas em 2D, obrigando o fabricante a rebolar para espremer o máximo de armazenamento possível. Claro, há os cartões de memória, algo que um dono de um iGadget nunca pôde usufruir.

A Samsung está trabalhando para mudar essa situação. Ontem ela anunciou que começou a produção em massa de seus chips 3D de memória Flash Vertical-NAND, ou encurtando, V-NAND. A tecnologia embarcada permite que os chips sejam montados verticalmente - e não horizontalmente como de costume. Com isso a Sammy conseguiu numa só tacada economizar espaço, aumentar a capacidade de armazenamento e aumentar a velocidade de acesso.

Chip V-NAND em detalhes

Cada célula possui uma densidade de 128 gigabits (ou 16 GB) e a Samsung já conseguiu empilhar 24 delas em um único chip não muito diferente dos atuais, totalizando 384 GB de espaço total de armazenamento. A nova tecnologia promete ser até duas vezes mais rápida e dez vezes mais confiável que os chips atuais.

A Samsung promete que a técnica estará presente em breve em SSDs e na sequência nos smartphones e tablets, mas não precisou datas. Ainda que demore um pouco, é interessante que assim que a tecnologia estiver difundida o preço de SSDs pode despencar consideravelmente, pois será possível colocar mais dados num mesmo espaço físico, com uma técnica não muito mais cara. Nosso bolso agradece.

Fonte: 9to5Google.

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