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Samsung começa a produzir em massa chips de memória RAM DDR3 de 20 nm

Memórias mais eficientes e produção otimizada: Samsung inicia a manufatura em massa de módulos de memória RAM DDR3 de 20 nanômetros, com capacidade de 1 GB

6 anos atrás

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Veja só a ironia: mais cedo comentei que não engoli a alegação original para a preferência da Apple pela TSMC na produção do A8, ainda que a Samsung também fornecerá o chip: segundo contam a empresa coreana teria tido problemas na produção do chip, que utiliza um processo de litografia de 20 nanômetros.

O grande porém nessa história é que a menos que a Apple tenha pedido especificações muito estritas a Sammy já domina esse processo ao menos no que diz respeito à memórias RAM: as futuras DDR4 para PCs já estão com a produção a todo vapor e o processo foi replicado para a fabricação de chips que serão inseridos em smartphones, onde cada modulo pode comportar até 1 GB de memória.

Agora a Sammy começou a produção em massa dos módulos DDR3 para memórias de PCs utilizando o mesmo processo. Diferente das DDR4, esses chips comportam até 4 Gb de memória ou 512 MB, tal qual os módulos das memórias DDR4. O ganho aqui não é apenas de performance para os smartphones, onde os módulos de 20 nm são 25% mais eficientes que os antigos de 25 nm, mas também na capacidade de produção em larga escala: o processo de manufatura dos módulos novos é 30% mais eficiente que os antigos.

O VP executivo de memórias e marketing da Samsung Young-Hyun Jun disse que o objetivo é aumentar a base instalada, de modo a permitir que as memórias da empresa se tornem as líderes entre as fabricantes de memórias para PCs: a Sammy não está para brincadeira, ela vai entrar no ramo  com os dois pés e pretende se tornar uma fornecedora forte para as mais diversas aplicações. Considerando boas ideias como o chip de memória flash 3D de absurdos 384 GB eu diria que estão no caminho certo e se a competição derrubar os preços (algo que todo mundo espera), será ainda melhor.

Fonte: SM.

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