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Samsung fabrica chip de 512 GB com dobro da velocidade do Galaxy S10

às 09h00 por

A Samsung anunciou nesta quarta-feira (27) que iniciou a produção em massa de chips de memória baseados no eUFS 3.0, que conseguem ser duas vezes mais velozes do que a geração passada, que foi lançada no mês passado. O novo padrão de memória apresentado terá até 512 GB de espaço e no futuro pode acomodar 1 TB de dados. Samsung Galaxy S10+: no limite da tecnologia