Primeiros detalhes: Snapdragon 835 será fabricado em 10 nm pela Samsung

Direto de Nova York — A Qualcomm anunciou nesta quinta-feira (17) os primeiros detalhes do Snapdragon 835, processador de alto desempenho para smartphones e tablets que vai suceder os Snapdragon 82x. Entre outras informações que ainda não podemos comentar, a empresa revelou publicamente que o chip terá fabricação em processo FinFET de 10 nanômetros e será produzido pela Samsung.

Isso significa que o processador pode ter desempenho até 27% maior ou consumo de energia até 40% menor se comparado a um chip fabricado no antigo processo de 14 nanômetros. De acordo com a Qualcomm, com transistores menores, o chip também ficou menor, logo, sobra mais espaço para as fabricantes colocarem baterias maiores nos aparelhos (na prática, no entanto, a diferença de tamanho é bem pequena).

Os smartphones com Snapdragon 835 serão os primeiros a suportarem o Quick Charge 4, tecnologia de carregamento rápido da Qualcomm que está mais potente e segura em relação à versão atual. Ela promete fornecer até cinco horas de bateria com apenas cinco minutos na tomada, o que é até 20% mais rápido que o Quick Charge 3.0. Todos os detalhes estão neste post.

A empresa não esclareceu a intenção por trás do nome do processador — todos esperávamos um Snapdragon 830 depois do 800, 810 e 820, não um Snapdragon 835. No entanto, a Qualcomm diz que a mudança está relacionada ao cronograma de lançamento de produtos, portanto, eu esperaria por outras variantes do Snapdragon 835 sendo reveladas nos próximos meses.

O Snapdragon 835 já está sendo produzido nas fábricas da Samsung. A previsão é que os primeiros dispositivos com o novo chip sejam lançados na primeira metade de 2017.

Paulo Higa viajou para Nova York a convite da Qualcomm.