Samsung quer produzir chips com apenas 1,4 nanômetro até 2027

Chips com tecnologia de 1,4 nanômetro da Samsung Foundry usarão transistores com largura de apenas três átomos de silício

Emerson Alecrim
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Executivos da Samsung com wafers de 3 nm (imagem: divulgação/Samsung)
Executivos da Samsung com wafers de 3 nm (imagem: Divulgação/Samsung)

A Samsung não quer ficar de fora da corrida pelo chip com a menor tecnologia de fabricação. A companhia confirmou que pretende produzir unidades de apenas 1,4 nanômetro (nm) a partir de 2027, característica que os fará combinar alto desempenho com ampla eficiência energética.

Quem deu informações sobre a meta é Jeong Gi-Tae, vice-presidente da Samsung Foundry, divisão de semicondutores da companhia. Ao The Elec, o executivo contou que, para chegar à tecnologia de 1,4 nm, a Samsung utilizará transistores do tipo GAA (Gate All Around), confirmando os planos revelados em 2022.

De acordo com a ASML, companhia que desenvolve máquinas para fabricação de chips, transistores do tipo GAA (ou GAAFET) têm estrutura de nanofolhas empilhadas. Isso permite que a porta que modula a condutividade elétrica envolva todos os lados do canal do transistor por onde flui corrente.

Essa abordagem reduz o vazamento de corrente. Com isso, pode-se fabricar transistores muito pequenos e, ao mesmo tempo, aumentar o nível de corrente que passa por eles.

Chips de 3 e 2 nm virão antes

Transistores GAA são adequados para chips com processo igual ou inferior a 3 nm. É por isso que a Samsung pretende chegar à tecnologia de 1,4 nm de modo progressivo.

A companhia começou em 2022, quando anunciou o processo SF3E, que usa transistores GAA para produzir chips de 3 nm. Eles devem ser fabricados em maior escala a partir de 2024.

Em 2025, a Samsung planeja introduzir a tecnologia SF3P, versão otimizada de seu processo de 3 nm. Como etapa seguinte, a empresa deve começar a produzir chips de 2 nm (SF2) ainda em 2025 ou em 2026, também com base em transistores GAA.

Evolução de transistores até chegar à estrutura GAAFET (imagem: divulgação/Samsung)
Evolução de transistores até chegar à estrutura GAAFET (imagem: divulgação/Samsung)

Finalmente, a tecnologia de 1,4 nanômetro

Se os planos da Samsung funcionarem, os primeiros chips com processo de 1,4 nanômetro (SF1.4) serão produzidos pela empresa em 2027. Para tanto, a Samsung Foundry desenvolverá transistores com estrutura de quatro nanofolhas. As tecnologias de 3 e 2 nanômetros terão transistores com três nanofolhas empilhadas.

Com um número maior de nanofolhas, mais corrente flui pelo transistor, fator que pode melhorar o desempenho do chip e otimizar o consumo de energia.

Será um feito marcante se a Samsung conseguir viabilizar o processo de 1,4 nm, não só pelos benefícios esperados, mas também porque essa medida corresponde a uma escala na qual cada transistor tem largura equivalente a apenas três átomos de silício.

De olho na concorrência

A redução da escala de nanômetros é perseguida pela indústria para otimizar o desempenho e o consumo energético dos chips. A Samsung tem investido fortemente no segmento para não ficar para trás nessa corrida. Não é exagero, pois Intel e TSMC também pretendem adotar transistores GAA a partir de 2024, como lembra o Tom’s Hardware.

Com informações: Digitime Asia

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Emerson Alecrim

Emerson Alecrim

Repórter

Emerson Alecrim cobre tecnologia desde 2001 e entrou para o Tecnoblog em 2013, se especializando na cobertura de temas como hardware, sistemas operacionais e negócios. Formado em ciência da computação, seguiu carreira em comunicação, sempre mantendo a tecnologia como base. Em 2022, foi reconhecido no Prêmio ESET de Segurança em Informação. Em 2023, foi reconhecido no Prêmio Especialistas, em eletroeletrônicos. Participa do Tecnocast, já passou pelo TechTudo e mantém o site Infowester.

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