Chips RRAM poderão fazer smartphones terem 1 TB ou mais para armazenar dados

A LG está sendo criticada por lançar o G3 no Brasil com apenas 16 GB para armazenamento de dados. Esta situação ilustra o quanto este aspecto vem ganhando importância para os consumidores. Mas há grande expectativa de que esta situação melhore em um futuro não muito distante: um novo tipo de memória, a RRAM, poderá fazer com que nossos smartphones armazenem algo como 1 TB de dados.

Atualmente, dispositivos móveis utilizam chips Flash para armazenar informações, o mesmo tipo de tecnologia que é empregado em cartões de memória ou em unidades SSD, por exemplo, guardadas as devidas variações.

Quando comparados aos discos rígidos, chips Flash são mais rápidos e ocupam menos espaço físico, por outro lado, são substancialmente mais caros. Este é um dos fatores que impendem fabricantes de dotarem seus smartphones com capacidades mais elevadas, como 128 GB ou 256 GB, salvo um caso ou outro.

Para piorar, é complicado inserir vários chips Flash em um smartphone por causa de fatores relacionados ao consumo energético, geração de calor e, claro, espaço físico – há um consenso de que quanto mais fino o aparelho, melhor.

É aqui que a tecnologia RRAM pode se transformar em um fio de esperança: este tipo de memória, também conhecido como ReRAM (Resistive RAM), se baseia em uma técnica que se assemelha à aplicação de transistores nas atuais memórias Flash, com a diferença de seus chips poderem ficar muito menores, consumirem menos energia e serem várias vezes mais rápidos nas operações de leitura e escrita de dados.

E o mais importante: a memória RRAM também é não-volátil, ou seja, não perde dados quando não há fornecimento de energia.

Se há tantas vantagens nesta tecnologia, por que a RRAM já não foi adotada? A verdade é que chips do tipo já são produzidos, mas para aplicações muito específicas. A fabricação em larga ainda não é viável porque requer a utilização de temperaturas e tensões elevadas, tornando o processo complexo e caro.

Este cenário pode mudar em breve graças a uma pesquisa realizada pela Universidade de Rice, nos Estados Unidos. Os cientistas da instituição desenvolveram uma técnica que permite a fabricação de chips RRAM em temperatura ambiente e com tensões consideravelmente menores.

O “truque”, basicamente, consiste em utilizar uma camada de dióxido de silício com furos de cinco nanômetros de diâmetro cada e, em seguida, colocá-la entre duas lâminas de metal muito finas. Uma pequena tensão aplicada ali é suficiente para fazer o metal escorrer pelas perfurações e interligar as duas lâminas, que passam a funcionar como eletrodos. Tem-se, portanto, um chip de memória estável e com custo de fabricação relativamente baixo.

Esta técnica de fabricação também constitui uma forma de produzir chips RRAM de várias camadas. Na prática, isso se traduz em mais capacidade de armazenamento por unidade, mas sem aumento muito expressivo do espaço físico. É daqui que os pesquisadores vislumbram a possibilidade dos smartphones ou outros dispositivos móveis terem 1 TB ou até mesmo mais capacidade.

Quando? Os cientistas não deram estimativas, mas se levarmos em conta que há cada vez mais empresas interessadas em memórias RRAM, não deve demorar muito.

Com informações: MIT Technology Review

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